Phase Shift Mask(即PSM,相移掩模)是通过在掩模相邻透光区域引入180°相位差,使光波在成像时发生相消干涉,削弱暗区光强并增强亮区对比度,从而突破传统二元掩模的分辨率限制。
其产品结构为石英基板(SiO2)、相位移层(MoSi)、金属层(Cr)、光阻(PR,即光刻胶),是先进光刻工艺的核心关键部件。

| Part Number | SMTC-PSM-KrF-6025 | |||
| Resist | Type | FEP-171 | ||
Thickness (Å) | 2900~3100 Range≤100 | |||
| Metal Film | Reflectivity(%) | 18.0±2 λ=248nm | ||
光学密度 OD | 3.1±0.2 λ=248nm | |||
Thickness (Å) | 480~600 | |||
| Phase Shift Layer | Transmittance (%) | 6.0±0.3 λ=248nm | ||
Phase Shift Angle(°) | 177±2 | |||
| Substrate | Type | Quartz | ||
Dimension (mm) | 152.0×152.0±0.4 | |||
Thickness (mm) | 6.35±0.1 | |||
Flatness (μm) | ≤0.5 /≤1 | |||